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50MT060WH

50MT060WH

Nur als Referenz

Teilenummer 50MT060WH
PNEDA Teilenummer 50MT060WH
Beschreibung IGBT WARP 600V 114A MTP
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.190
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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50MT060WH Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer50MT060WH
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
50MT060WH, 50MT060WH Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 62,06 KB)
PDF50MT060WH Datenblatt Cover
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50MT060WH Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-TypPT
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)114A
Leistung - max658W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)400µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce7.1nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall12-MTP Module
Lieferantengerätepaket12-MTP

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

283A

Leistung - max

682W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

25µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

APTGT30H170T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Leistung - max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

APTGT400DA120D3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

580A

Leistung - max

2100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

750µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

29nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

695W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

416W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 90A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

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Lieferantengerätepaket

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