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FM23MLD16-60-BG

FM23MLD16-60-BG

Nur als Referenz

Teilenummer FM23MLD16-60-BG
PNEDA Teilenummer FM23MLD16-60-BG
Beschreibung IC FRAM 8M PARALLEL 48FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 8.424
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 24 - Mär 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FM23MLD16-60-BG Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFM23MLD16-60-BG
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FM23MLD16-60-BG, FM23MLD16-60-BG Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 215,01 KB)
PDFFM23MLD16-60-BG Datenblatt Cover
FM23MLD16-60-BG Datenblatt Seite 2 FM23MLD16-60-BG Datenblatt Seite 3 FM23MLD16-60-BG Datenblatt Seite 4 FM23MLD16-60-BG Datenblatt Seite 5 FM23MLD16-60-BG Datenblatt Seite 6 FM23MLD16-60-BG Datenblatt Seite 7 FM23MLD16-60-BG Datenblatt Seite 8 FM23MLD16-60-BG Datenblatt Seite 9 FM23MLD16-60-BG Datenblatt Seite 10 FM23MLD16-60-BG Datenblatt Seite 11

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FM23MLD16-60-BG Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieF-RAM™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFRAM
TechnologieFRAM (Ferroelectric RAM)
Speichergröße8Mb (512K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite115ns
Zugriffszeit115ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-FBGA (6x8)

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

32-PDIP

MT41K256M16HA-107G:E

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-FBGA (9x14)

AT28BV256-20JU-T

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

200ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

32-PLCC (11.43x13.97)

71342SA35JI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

52-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

52-PLCC (19.13x19.13)

7024S25JI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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