FM23MLD16-60-BG Datenblatt
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Cypress Semiconductor
Website: http://www.cypress.com/
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FM23MLD16-60-BG
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie F-RAM™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FRAM Technologie FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 115ns Zugriffszeit 115ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFBGA Lieferantengerätepaket 48-FBGA (6x8) |