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FGL35N120FTDTU

FGL35N120FTDTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGL35N120FTDTU
PNEDA Teilenummer FGL35N120FTDTU
Beschreibung IGBT 1200V 70A 368W TO264
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $73,1528
50 ---------- $69,7237
100 ---------- $66,2947
200 ---------- $62,8657
400 ---------- $60,0081
500 ---------- $57,1506
Auf Lager 461
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 18 - Jun 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGL35N120FTDTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGL35N120FTDTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGL35N120FTDTU, FGL35N120FTDTU Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 656,19 KB)
PDFFGL35N120FTDTU Datenblatt Cover
FGL35N120FTDTU Datenblatt Seite 2 FGL35N120FTDTU Datenblatt Seite 3 FGL35N120FTDTU Datenblatt Seite 4 FGL35N120FTDTU Datenblatt Seite 5 FGL35N120FTDTU Datenblatt Seite 6 FGL35N120FTDTU Datenblatt Seite 7 FGL35N120FTDTU Datenblatt Seite 8 FGL35N120FTDTU Datenblatt Seite 9 FGL35N120FTDTU Datenblatt Seite 10 FGL35N120FTDTU Datenblatt Seite 11

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FGL35N120FTDTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)105A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 35A
Leistung - max368W
Schaltenergie2.5mJ (on), 1.7mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge210nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.34ns/172ns
Testbedingung600V, 35A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)337ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/200ns

Testbedingung

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

RGT50NL65DGTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

194W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/88ns

Testbedingung

400V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPDS

IRGP30B120KD-EP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 60A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

1.07mJ (on), 1.49mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

169nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 25A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

300ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Hersteller

IXYS

Serie

Polar™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IGB10N60TATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 10A

Leistung - max

110W

Schaltenergie

430µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/215ns

Testbedingung

400V, 10A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

Kürzlich verkauft

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VMMK-1218-TR1G

VMMK-1218-TR1G

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MAX3221EETE+

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CAT93C57XI

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ADA4805-2ARMZ-R7

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MAX17048G+T10

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7443556350

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