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IXGQ85N33PCD1

IXGQ85N33PCD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGQ85N33PCD1
PNEDA Teilenummer IXGQ85N33PCD1
Beschreibung IGBT 330V 85A 150W TO3P
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.046
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 30 - Dez 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGQ85N33PCD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGQ85N33PCD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGQ85N33PCD1, IXGQ85N33PCD1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 136,89 KB)
PDFIXGQ85N33PCD1 Datenblatt Cover
IXGQ85N33PCD1 Datenblatt Seite 2 IXGQ85N33PCD1 Datenblatt Seite 3 IXGQ85N33PCD1 Datenblatt Seite 4 IXGQ85N33PCD1 Datenblatt Seite 5 IXGQ85N33PCD1 Datenblatt Seite 6

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IXGQ85N33PCD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SeriePolar™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)330V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)85A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 100A
Leistung - max150W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge80nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)250ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

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Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

1.6mJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

107nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/90ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IHW15T120FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

113W

Schaltenergie

2.7mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/520ns

Testbedingung

600V, 15A, 56Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

SGW23N60UFDTM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

115µJ (on), 135µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/60ns

Testbedingung

300V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK

IHD10N60RA

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 10A

Leistung - max

110W

Schaltenergie

270µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/170ns

Testbedingung

400V, 10A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

STGB14NC60KT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

82µJ (on), 155µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22.5ns/116ns

Testbedingung

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Kürzlich verkauft

CAY10-330J4LF

CAY10-330J4LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 33 OHM 0804

NLC453232T-150K-PF

NLC453232T-150K-PF

TDK

FIXED IND 15UH 450MA 700 MOHM

PSMN4R5-30YLC,115

PSMN4R5-30YLC,115

Nexperia

MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK

NTZD3154NT1G

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ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

ADSP-21487KSWZ-4BB

ADSP-21487KSWZ-4BB

Analog Devices

DSP/DSC

HUF75344P3

HUF75344P3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

UVR1E101MED1TA

UVR1E101MED1TA

Nichicon

CAP ALUM 100UF 20% 25V RADIAL

ADM1021ARQ

ADM1021ARQ

ON Semiconductor

IC SENSOR TEMP DUAL3/5.5V 16QSOP

MAX31730AUB+T

MAX31730AUB+T

Maxim Integrated

IC REMOTE TEMP SENSOR USSOP

BC81725MTF

BC81725MTF

ON Semiconductor

TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23

ATMEGA168PA-MUR

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32VQFN

RB521S-30TE61

RB521S-30TE61

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DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2