FGD3N60UNDF
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGD3N60UNDF |
| PNEDA Teilenummer | FGD3N60UNDF |
| Beschreibung | IGBT 600V 6A 60W DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.888 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 30 - Apr 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGD3N60UNDF Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGD3N60UNDF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGD3N60UNDF Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 9A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.52V @ 15V, 3A |
| Leistung - max | 60W |
| Schaltenergie | 52µJ (on), 30µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 1.6nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 5.5ns/22ns |
| Testbedingung | 400V, 3A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 21ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 4V, 15A Leistung - max 115W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 170A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 45A Leistung - max 625W Schaltenergie 900µJ (on), 904µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 185nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/102ns Testbedingung 600V, 45A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.36V @ 15V, 41A Leistung - max 200W Schaltenergie 720µJ (on), 8.27mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 180nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/650ns Testbedingung 480V, 41A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 390V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 5V, 14A Leistung - max 100W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/7µs Testbedingung 300V, 7A, 25Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket I2PAK (TO-262) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 36A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 20A Leistung - max 178W Schaltenergie 690µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/207ns Testbedingung 400V, 20A, 16Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1 |
