HGT1S14N36G3VLT
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| Teilenummer | HGT1S14N36G3VLT |
| PNEDA Teilenummer | HGT1S14N36G3VLT |
| Beschreibung | IGBT 390V 18A 100W TO262AA |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.092 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 5 - Apr 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HGT1S14N36G3VLT Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGT1S14N36G3VLT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
HGT1S14N36G3VLT, HGT1S14N36G3VLT Datenblatt
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HGT1S14N36G3VLT Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 390V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 18A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 5V, 14A |
| Leistung - max | 100W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | 24nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | -/7µs |
| Testbedingung | 300V, 7A, 25Ohm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK (TO-262) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 170A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 340A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 85A Leistung - max 962W Schaltenergie 6mJ (on), 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 660nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 43ns/300ns Testbedingung 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket T-MAX™ |
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