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FF225R12ME4BOSA1

FF225R12ME4BOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF225R12ME4BOSA1
PNEDA Teilenummer FF225R12ME4BOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 225A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.754
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FF225R12ME4BOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF225R12ME4BOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF225R12ME4BOSA1, FF225R12ME4BOSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 612,68 KB)
PDFFF225R12ME4BOSA1 Datenblatt Cover
FF225R12ME4BOSA1 Datenblatt Seite 2 FF225R12ME4BOSA1 Datenblatt Seite 3 FF225R12ME4BOSA1 Datenblatt Seite 4 FF225R12ME4BOSA1 Datenblatt Seite 5 FF225R12ME4BOSA1 Datenblatt Seite 6 FF225R12ME4BOSA1 Datenblatt Seite 7 FF225R12ME4BOSA1 Datenblatt Seite 8 FF225R12ME4BOSA1 Datenblatt Seite 9

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FF225R12ME4BOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)320A
Leistung - max1050W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 225A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)3mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce13nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

690W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 100A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.43nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

S3

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

446W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.08V @ 15V, 75A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.45nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

APTGT50DH170TG

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Asymmetrical Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

FP15R12W1T4PBPSA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

890pF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FF200R12KE3B2HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

295A

Leistung - max

1050W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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