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FP15R12W1T4PBPSA1

FP15R12W1T4PBPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FP15R12W1T4PBPSA1
PNEDA Teilenummer FP15R12W1T4PBPSA1
Beschreibung MOD IGBT LOW PWR EASY1B-2
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.238
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FP15R12W1T4PBPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFP15R12W1T4PBPSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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FP15R12W1T4PBPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieEasyPIM™ 1B
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Leistung - max20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.25V @ 15V, 15A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce890pF @ 25V
EingabeThree Phase Bridge Rectifier
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600A

Leistung - max

2119W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

28.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Double INT-A-PAK (3 + 8)

Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

APTGLQ100H65T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

135A

Leistung - max

350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.15nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP3F

FF300R17KE3HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

1450W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

27nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APT50GT120JRDQ2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

72A

Leistung - max

379W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

400µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

FS35R12KT3BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™ 2

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Leistung - max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

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