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FD600R17KE3KB5NOSA1

FD600R17KE3KB5NOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FD600R17KE3KB5NOSA1
PNEDA Teilenummer FD600R17KE3KB5NOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 600V 600A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.690
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Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FD600R17KE3KB5NOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFD600R17KE3KB5NOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FD600R17KE3KB5NOSA1, FD600R17KE3KB5NOSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 362,6 KB)
PDFFD600R17KE3KB5NOSA1 Datenblatt Cover
FD600R17KE3KB5NOSA1 Datenblatt Seite 2 FD600R17KE3KB5NOSA1 Datenblatt Seite 3 FD600R17KE3KB5NOSA1 Datenblatt Seite 4 FD600R17KE3KB5NOSA1 Datenblatt Seite 5 FD600R17KE3KB5NOSA1 Datenblatt Seite 6 FD600R17KE3KB5NOSA1 Datenblatt Seite 7 FD600R17KE3KB5NOSA1 Datenblatt Seite 8 FD600R17KE3KB5NOSA1 Datenblatt Seite 9

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FD600R17KE3KB5NOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationSingle Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Leistung - max4300W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 600A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce54nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Dual Boost Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP3F

APTGT20H60T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Leistung - max

62W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

APTGT400SK60D3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

24nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

APTGT225DA170G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

340A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 225A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

VS-CPV363M4FPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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