FD-DF80R12W1H3_B52
Nur als Referenz
| Teilenummer | FD-DF80R12W1H3_B52 |
| PNEDA Teilenummer | FD-DF80R12W1H3_B52 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 40A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.806 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FD-DF80R12W1H3_B52 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FD-DF80R12W1H3_B52 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FD-DF80R12W1H3_B52, FD-DF80R12W1H3_B52 Datenblatt
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FD-DF80R12W1H3_B52 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Leistung - max | 215W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 235nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Leistung - max 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 580A Leistung - max 2000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 28nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Switch Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1200A Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 1200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 97nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 130A Leistung - max 465W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.8nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
