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FF150R12KE3GB2HOSA1

FF150R12KE3GB2HOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF150R12KE3GB2HOSA1
PNEDA Teilenummer FF150R12KE3GB2HOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $81,6220
50 ---------- $77,7960
100 ---------- $73,9700
200 ---------- $70,1439
400 ---------- $66,9556
500 ---------- $63,7672
Auf Lager 3.992
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FF150R12KE3GB2HOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF150R12KE3GB2HOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF150R12KE3GB2HOSA1, FF150R12KE3GB2HOSA1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 419,01 KB)
PDFFF150R12KE3GB2HOSA1 Datenblatt Cover
FF150R12KE3GB2HOSA1 Datenblatt Seite 2 FF150R12KE3GB2HOSA1 Datenblatt Seite 3 FF150R12KE3GB2HOSA1 Datenblatt Seite 4 FF150R12KE3GB2HOSA1 Datenblatt Seite 5 FF150R12KE3GB2HOSA1 Datenblatt Seite 6 FF150R12KE3GB2HOSA1 Datenblatt Seite 7 FF150R12KE3GB2HOSA1 Datenblatt Seite 8

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FF150R12KE3GB2HOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
IGBT-Typ-
Konfiguration-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Leistung - max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
Eingabe-
NTC-Thermistor-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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APTGT150DA120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

690W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

CM100DU-24H

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

15nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VIO50-12P1

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

49A

Leistung - max

208W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1.1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ECO-PAC2

Lieferantengerätepaket

ECO-PAC2

APTGLQ200H120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

350A

Leistung - max

1000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

DDB6U84N16RRBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 20V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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