EPC2101ENG
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| Teilenummer | EPC2101ENG |
| PNEDA Teilenummer | EPC2101ENG |
| Beschreibung | GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE |
| Hersteller | EPC |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.384 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EPC2101ENG Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2101ENG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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EPC2101ENG Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.5A, 38A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 25V Leistung - max 3W (Ta), 24W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 13V Leistung - max 2.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.5A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V Leistung - max 3.1W (Ta), 23W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 15V Leistung - max 1.04W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket 8-MSOP |
