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ZXMD63C02XTC

ZXMD63C02XTC

Nur als Referenz

Teilenummer ZXMD63C02XTC
PNEDA Teilenummer ZXMD63C02XTC
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis
1 ---------- $1,8088
250 ---------- $1,7240
500 ---------- $1,6392
1.000 ---------- $1,5544
2.500 ---------- $1,4838
5.000 ---------- $1,4131
Auf Lager 410
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ZXMD63C02XTC Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXMD63C02XTC
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ZXMD63C02XTC, ZXMD63C02XTC Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 322,82 KB)
PDFZXMD63C02XTC Datenblatt Cover
ZXMD63C02XTC Datenblatt Seite 2 ZXMD63C02XTC Datenblatt Seite 3 ZXMD63C02XTC Datenblatt Seite 4 ZXMD63C02XTC Datenblatt Seite 5 ZXMD63C02XTC Datenblatt Seite 6 ZXMD63C02XTC Datenblatt Seite 7 ZXMD63C02XTC Datenblatt Seite 8 ZXMD63C02XTC Datenblatt Seite 9 ZXMD63C02XTC Datenblatt Seite 10 ZXMD63C02XTC Datenblatt Seite 11

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ZXMD63C02XTC Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 15V
Leistung - max1.04W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Lieferantengerätepaket8-MSOP

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

168mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3259pF @ 25V

Leistung - max

208W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SP3

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

EMT6

SI3529DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A, 1.95A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

205pF @ 20V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

EPC2104

EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 5.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 50V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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