CSD88584Q5DC
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| Teilenummer | CSD88584Q5DC |
| PNEDA Teilenummer | CSD88584Q5DC |
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.420 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD88584Q5DC Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD88584Q5DC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD88584Q5DC Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12400pF @ 20V |
| Leistung - max | 12W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 22-PowerTFDFN |
| Lieferantengerätepaket | 22-VSON-CLIP (5x6) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 748nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20600pF @ 25V Leistung - max 1250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller Infineon Technologies Serie FETKY™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 16V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 590mA (Ta), 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V Leistung - max 285mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN1010B-6 |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1585pF @ 50V Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 12-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 12-Power3.3x5 |
