PMCXB1000UEZ
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| Teilenummer | PMCXB1000UEZ |
| PNEDA Teilenummer | PMCXB1000UEZ |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.302 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PMCXB1000UEZ Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMCXB1000UEZ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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PMCXB1000UEZ Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel Complementary |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 590mA (Ta), 410mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V |
| Leistung - max | 285mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | DFN1010B-6 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 5mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 246nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4750pF @ 1000V Leistung - max 625W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-3 Module Lieferantengerätepaket D3 |
