CSD87381P
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| Teilenummer | CSD87381P | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | CSD87381P | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Texas Instruments | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 12.932 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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CSD87381P Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD87381P |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD87381P Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.3mOhm @ 8A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 564pF @ 15V |
| Leistung - max | 4W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 5-LGA |
| Lieferantengerätepaket | 5-PTAB (3x2.5) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 360mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 25V Leistung - max 310mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 345pF @ 25V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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