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BYC30W-1200PQ

BYC30W-1200PQ

Nur als Referenz

Teilenummer BYC30W-1200PQ
PNEDA Teilenummer BYC30W-1200PQ
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2
Hersteller WeEn Semiconductors
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Auf Lager 8.604
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BYC30W-1200PQ Ressourcen

Marke WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBYC30W-1200PQ
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BYC30W-1200PQ, BYC30W-1200PQ Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 358,73 KB)
PDFBYC30W-1200PQ Datenblatt Cover
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BYC30W-1200PQ Technische Daten

HerstellerWeEn Semiconductors
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If3.3V @ 30A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)65ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr250µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-2
LieferantengerätepaketTO-247-2
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle175°C (Max)

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Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

90V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

730mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 90V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.8µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

9pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

RB050LA-30TR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

450mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PMDT

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

NRVBM2H100T3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

POWERMITE®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

680mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-216AA

Lieferantengerätepaket

Powermite

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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