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BLF6G10-200RN,112

BLF6G10-200RN,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G10-200RN,112
PNEDA Teilenummer BLF6G10-200RN-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 8.478
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLF6G10-200RN Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G10-200RN,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF6G10-200RN, BLF6G10-200RN Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 1.031,5 KB)
PDFBLF6G10-200RN Datenblatt Cover
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BLF6G10-200RN Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz871.5MHz ~ 891.5MHz
Gewinn20dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)49A
Rauschzahl-
Stromtest1.4A
Leistung - Leistung40W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502A
LieferantengerätepaketLDMOST

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-880S

Lieferantengerätepaket

NI-880S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.4GHz

Gewinn

17.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.1A

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780GS-2L

Lieferantengerätepaket

NI-780GS-2L

STAC2942B

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

-

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

40A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

450W

Spannung - Nennspannung

130V

Paket / Fall

STAC244F

Lieferantengerätepaket

STAC244F

BF245C_J35Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

25mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

2.32GHz

Gewinn

14.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

Kürzlich verkauft

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JANTX1N4148-1

JANTX1N4148-1

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TAJA475K016RNJ

TAJA475K016RNJ

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AQY210S

AQY210S

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T520V337M2R5ATE025

T520V337M2R5ATE025

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DHRB34C102M2FB

DHRB34C102M2FB

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DF10M

DF10M

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BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFM

APT8024JLL

APT8024JLL

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74HC160N,652

74HC160N,652

NXP

IC SYNC BCD DECADE COUNT 16DIP

NLC453232T-150K-PF

NLC453232T-150K-PF

TDK

FIXED IND 15UH 450MA 700 MOHM

SMBJ15A-E3/52

SMBJ15A-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 15V 24.4V DO214AA

BLM31PG391SN1L

BLM31PG391SN1L

Murata

FERRITE BEAD 390 OHM 1206 1LN