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MRF8P23160WHSR3

MRF8P23160WHSR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8P23160WHSR3
PNEDA Teilenummer MRF8P23160WHSR3
Beschreibung FET RF 2CH 65V 2.32GHZ NI780-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.616
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF8P23160WHSR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8P23160WHSR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8P23160WHSR3, MRF8P23160WHSR3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 582,41 KB)
PDFMRF8P23160WHSR3 Datenblatt Cover
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MRF8P23160WHSR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypN-Channel
Frequenz2.32GHz
Gewinn14.1dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest600mA
Leistung - Leistung30W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780-4
LieferantengerätepaketNI-780-4

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

19.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

18A

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1121B

Lieferantengerätepaket

LDMOST

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

15.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

950mA

Leistung - Leistung

23W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

CGHV14800F

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

1.4GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

24A

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

900W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

440117

Lieferantengerätepaket

440117

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.4GHz ~ 2.5GHz

Gewinn

15.9dB

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

32V

Paket / Fall

OM-780-2

Lieferantengerätepaket

OM-780-2

CGHV59350F

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

5.2GHz ~ 5.9GHz

Gewinn

11.2dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

24A

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

450W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

440217

Lieferantengerätepaket

440217

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