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BG3123RH6327XTSA1

BG3123RH6327XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BG3123RH6327XTSA1
PNEDA Teilenummer BG3123RH6327XTSA1
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
Hersteller Infineon Technologies
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BG3123RH6327XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBG3123RH6327XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BG3123RH6327XTSA1, BG3123RH6327XTSA1 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 100,23 KB)
PDFBG3123RH6327XTSA1 Datenblatt Cover
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BG3123RH6327XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Transistortyp2 N-Channel (Dual)
Frequenz800MHz
Gewinn25dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)25mA, 20mA
Rauschzahl1.8dB
Stromtest14mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung8V
Paket / Fall6-VSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketPG-SOT363-6

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

500MHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Straight Lead)

PTF140451E V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.5GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-30265-2

MAGX-000035-01000P

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

3.5GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

500mA

Rauschzahl

-

Stromtest

30mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

130MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230S-4 GW

Lieferantengerätepaket

NI-1230S-4 GULL

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.8MHz ~ 470MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

100mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

1800W

Spannung - Nennspannung

182V

Paket / Fall

SOT-979A

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4H

Kürzlich verkauft

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4608X-102-332LF

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