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MRF6VP11KGSR5

MRF6VP11KGSR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6VP11KGSR5
PNEDA Teilenummer MRF6VP11KGSR5
Beschreibung FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230S
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.218
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF6VP11KGSR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6VP11KGSR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6VP11KGSR5, MRF6VP11KGSR5 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 853,45 KB)
PDFMRF6VP11KGSR5 Datenblatt Cover
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MRF6VP11KGSR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz130MHz
Gewinn26dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest150mA
Leistung - Leistung1000W
Spannung - Nennspannung110V
Paket / FallNI-1230S-4 GW
LieferantengerätepaketNI-1230S-4 GULL

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-

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60mA

Rauschzahl

3dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

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TO-92-3

Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

13dB

Spannungstest

36V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

75V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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Gewinn

22.5dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

39A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

32W

Spannung - Nennspannung

65V

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Hersteller

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Serie

-

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MESFET Dual Gate

Frequenz

900MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

40mA

Rauschzahl

1.1dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

13V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz

Gewinn

12.5dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

25mA

Leistung - Leistung

4W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-200Z

Lieferantengerätepaket

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