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BFU520XVL

BFU520XVL

Nur als Referenz

Teilenummer BFU520XVL
PNEDA Teilenummer BFU520XVL
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.402
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BFU520XVL Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU520XVL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU520XVL, BFU520XVL Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 300,93 KB)
PDFBFU520XVL Datenblatt Cover
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BFU520XVL Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang10.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 1.8GHz
Gewinn18dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143B

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Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Gewinn

25dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-72

SD1400-03

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

2SC5087-O(TE85L,F)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-61AA

Lieferantengerätepaket

SMQ

0912-25

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB ~ 10dB

Leistung - max

125W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 300mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55CT

Lieferantengerätepaket

55CT

MDS70

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.03GHz ~ 1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10.3dB ~ 11.65dB

Leistung - max

225W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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