2SC5087-O(TE85L,F)
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| Teilenummer | 2SC5087-O(TE85L,F) |
| PNEDA Teilenummer | 2SC5087-O-TE85L-F |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.274 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SC5087-O(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SC5087-O(TE85L,F) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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2SC5087-O(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 7GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 150mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80mA |
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-61AA |
| Lieferantengerätepaket | SMQ |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 24V Frequenz - Übergang 2.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9dB ~ 9.5dB Leistung - max 6W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 750mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Stud Mount Paket / Fall 55FT Lieferantengerätepaket 55FT |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 18V Frequenz - Übergang 30MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 13dB Leistung - max 270W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M174 Lieferantengerätepaket M174 |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 12GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB @ 2GHz Gewinn 11dB Leistung - max 180mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143 |
