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BFU520R

BFU520R

Nur als Referenz

Teilenummer BFU520R
PNEDA Teilenummer BFU520R
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.798
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU520R Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU520R
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU520R, BFU520R Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 304,04 KB)
PDFBFU520VL Datenblatt Cover
BFU520VL Datenblatt Seite 2 BFU520VL Datenblatt Seite 3 BFU520VL Datenblatt Seite 4 BFU520VL Datenblatt Seite 5 BFU520VL Datenblatt Seite 6 BFU520VL Datenblatt Seite 7 BFU520VL Datenblatt Seite 8 BFU520VL Datenblatt Seite 9 BFU520VL Datenblatt Seite 10 BFU520VL Datenblatt Seite 11

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BFU520R Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang10.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.65dB @ 900MHz
Gewinn20dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143B

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.5dB

Leistung - max

300W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 2A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Chassis Mount

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

20dB

Leistung - max

1.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

22V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13dB

Leistung - max

6W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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55AU

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6dB

Leistung - max

2900W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55KV

Lieferantengerätepaket

55KV

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Gewinn

15.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

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