MS2214
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| Teilenummer | MS2214 |
| PNEDA Teilenummer | MS2214 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M218 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.616 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MS2214 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS2214 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MS2214 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 55V |
| Frequenz - Übergang | 960MHz ~ 1.215GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 7.5dB |
| Leistung - max | 300W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 2A, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8A |
| Betriebstemperatur | 250°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | M218 |
| Lieferantengerätepaket | M218 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 18.5dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket PG-SOT323-3 |
Hersteller Skyworks Solutions Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4V Frequenz - Übergang 16GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 5.2dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 450MHz Gewinn 25dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-72-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-72 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 18V Frequenz - Übergang 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10dB Leistung - max 70W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M113 Lieferantengerätepaket M113 |
