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BFT92,215

BFT92,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFT92,215
PNEDA Teilenummer BFT92-215
Beschreibung RF TRANS PNP 15V 5GHZ TO236AB
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.416
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFT92 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFT92,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFT92, BFT92 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 192,71 KB)
PDFBFT92 Datenblatt Cover
BFT92 Datenblatt Seite 2 BFT92 Datenblatt Seite 3 BFT92 Datenblatt Seite 4 BFT92 Datenblatt Seite 5 BFT92 Datenblatt Seite 6 BFT92 Datenblatt Seite 7 BFT92 Datenblatt Seite 8 BFT92 Datenblatt Seite 9 BFT92 Datenblatt Seite 10

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BFT92 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypPNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2.5dB @ 500MHz
Gewinn-
Leistung - max300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 14mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.5dB ~ 5dB @ 500MHz

Gewinn

20dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 25mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 800MHz

Gewinn

-

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 50mA, 9V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

0910-60M

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

890MHz ~ 1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB ~ 8.5dB

Leistung - max

180W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AW

Lieferantengerätepaket

55AW

MS2441

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6.5dB

Leistung - max

1458W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

M112

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