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BFG325/XR,215

BFG325/XR,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFG325/XR,215
PNEDA Teilenummer BFG325-XR-215
Beschreibung RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT143R
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.200
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 8 - Apr 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BFG325/XR Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG325/XR,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG325/XR, BFG325/XR Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 190,33 KB)
PDFBFG325/XR Datenblatt Cover
BFG325/XR Datenblatt Seite 2 BFG325/XR Datenblatt Seite 3 BFG325/XR Datenblatt Seite 4 BFG325/XR Datenblatt Seite 5 BFG325/XR Datenblatt Seite 6 BFG325/XR Datenblatt Seite 7 BFG325/XR Datenblatt Seite 8 BFG325/XR Datenblatt Seite 9 BFG325/XR Datenblatt Seite 10 BFG325/XR Datenblatt Seite 11

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BFG325/XR Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6V
Frequenz - Übergang14GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 2GHz
Gewinn18.3dB
Leistung - max210mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 15mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-143R
LieferantengerätepaketSOT-143R

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NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

Gewinn

11.6dB

Leistung - max

6.4W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

2224-6P

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

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-

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-

Paket / Fall

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-

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

17GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

11dB ~ 19dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

130 @ 15mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

M05

45005

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

-

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