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2224-6P

2224-6P

Nur als Referenz

Teilenummer 2224-6P
PNEDA Teilenummer 2224-6P
Beschreibung RF POWER TRANSISTOR
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.434
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2224-6P Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2224-6P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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2224-6P Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Transistortyp-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

Gewinn

9.4dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

125 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

BF240_D74Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BFR380L3E6327XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 2.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

7.5dB ~ 16.5dB

Leistung - max

380mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 40mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

PG-TSLP-3-1

MAX2602ESA

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

Gewinn

11.6dB

Leistung - max

6.4W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

TPR400

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

1.03GHz ~ 1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.27dB

Leistung - max

875W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 2.5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55CX

Lieferantengerätepaket

55CX

Kürzlich verkauft

S3A-13-F

S3A-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

LAN8740AI-EN

LAN8740AI-EN

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 32SQFN

NAND256W3A2BZA6E

NAND256W3A2BZA6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

MAX999AAUK+T

MAX999AAUK+T

Maxim Integrated

IC COMP BEYOND-THE-RAILS SOT23-5

BLM18KG121TN1D

BLM18KG121TN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

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MAX3208EAUB+T

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TVS DIODE 10UMAX

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TSM2323CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23

KT2520Y40000ECV28TBA

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XTAL OSC TCXO 40.0000MHZ SNWV

PI3USB30532ZLE

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Diodes Incorporated

IC MUX/DEMUX USB 3.0 40TQFN

1.5KE33A

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ON Semiconductor

TVS DIODE 28.2V 45.7V AXIAL

74HC160N,652

74HC160N,652

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IC MULTIPLEXER 16X1 28SOIC