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NE68030-T1-R45-A

NE68030-T1-R45-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE68030-T1-R45-A
PNEDA Teilenummer NE68030-T1-R45-A
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323
Hersteller CEL
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NE68030-T1-R45-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE68030-T1-R45-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE68030-T1-R45-A, NE68030-T1-R45-A Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 901,45 KB)
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NE68030-T1-R45-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang10GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.9dB @ 2GHz
Gewinn9.4dB
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce125 @ 5mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB

Leistung - max

318W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

18 @ 1.4A, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

M174

Lieferantengerätepaket

M174

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

900MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 150mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.8V

Frequenz - Übergang

55GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz

Gewinn

-

Leistung - max

197mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

205 @ 2mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-DFP

1035MP

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB ~ 10.5dB

Leistung - max

125W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

55FW-1

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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TO-92-3

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