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BFG10/X,215

BFG10/X,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFG10/X,215
PNEDA Teilenummer BFG10-X-215
Beschreibung RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.426
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BFG10/X Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG10/X,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG10/X, BFG10/X Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 257,77 KB)
PDFBFG10/X Datenblatt Cover
BFG10/X Datenblatt Seite 2 BFG10/X Datenblatt Seite 3 BFG10/X Datenblatt Seite 4 BFG10/X Datenblatt Seite 5 BFG10/X Datenblatt Seite 6 BFG10/X Datenblatt Seite 7 BFG10/X Datenblatt Seite 8 BFG10/X Datenblatt Seite 9 BFG10/X Datenblatt Seite 10 BFG10/X Datenblatt Seite 11

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BFG10/X Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)8V
Frequenz - Übergang1.9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn7dB
Leistung - max400mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)250mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143B

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Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

6 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz

Gewinn

12.4dB ~ 17.5dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

14-SOIC

60180

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

130mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

6-Super Lead-Less MiniMold

UPA812T-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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