BFG520W/X,115
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| Teilenummer | BFG520W/X,115 |
| PNEDA Teilenummer | BFG520W-X-115 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.770 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 28 - Apr 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFG520W/X Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFG520W/X,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFG520W/X Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 9GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 500mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 20mA, 6V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-343 Reverse Pinning |
| Lieferantengerätepaket | 4-SO |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.3V Frequenz - Übergang 7.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz Gewinn 10.5dB Leistung - max 1.6W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket PW-MINI |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB @ 1GHz Gewinn 7.2dB Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn - Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
