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BFG 19S E6327

BFG 19S E6327

Nur als Referenz

Teilenummer BFG 19S E6327
PNEDA Teilenummer BFG-19S-E6327
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.870
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG 19S E6327 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG 19S E6327
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG 19S E6327, BFG 19S E6327 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 506,43 KB)
PDFBFG 19S E6327 Datenblatt Cover
BFG 19S E6327 Datenblatt Seite 2 BFG 19S E6327 Datenblatt Seite 3 BFG 19S E6327 Datenblatt Seite 4 BFG 19S E6327 Datenblatt Seite 5 BFG 19S E6327 Datenblatt Seite 6

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BFG 19S E6327 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang5.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinn14dB ~ 8.5dB
Leistung - max1W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 70mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)210mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
LieferantengerätepaketPG-SOT223-4

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Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

5.6dB

Leistung - max

1350W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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Serie

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Transistortyp

NPN

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16V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB

Leistung - max

120W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB

Leistung - max

50W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

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