BFG 19S E6327 Datenblatt
BFG 19S E6327 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
BFG 19S E6327
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 14dB ~ 8.5dB Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 70mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 210mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4 |
