AUIRGB4062D1
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| Teilenummer | AUIRGB4062D1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | AUIRGB4062D1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 59A 246W TO-220AB | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 3.054 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 22 - Feb 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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AUIRGB4062D1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AUIRGB4062D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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AUIRGB4062D1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 59A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 72A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.77V @ 15V, 24A |
| Leistung - max | 246W |
| Schaltenergie | 532µJ (on), 311µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 77nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 19ns/90ns |
| Testbedingung | 400V, 24A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 102ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/78ns Testbedingung 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.81V @ 15V, 40A Leistung - max 268W Schaltenergie 1.22mJ (on), 440µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 68nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/64ns Testbedingung 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 101ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 56A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 230A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A Leistung - max 125W Schaltenergie 410µJ (on), 230µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 77nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/60ns Testbedingung 400V, 30A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX3™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 380A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 900A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 100A Leistung - max 1630W Schaltenergie 2.85mJ (on), 4.4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 315nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 48ns/160ns Testbedingung 360V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 43A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 11A Leistung - max 298W Schaltenergie 950µJ (on), 1.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/180ns Testbedingung 960V, 11A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
