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IXGR48N60C3D1

IXGR48N60C3D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR48N60C3D1
PNEDA Teilenummer IXGR48N60C3D1
Beschreibung IGBT 600V 56A 125W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.560
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGR48N60C3D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR48N60C3D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR48N60C3D1, IXGR48N60C3D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 207,6 KB)
PDFIXGR48N60C3D1 Datenblatt Cover
IXGR48N60C3D1 Datenblatt Seite 2 IXGR48N60C3D1 Datenblatt Seite 3 IXGR48N60C3D1 Datenblatt Seite 4 IXGR48N60C3D1 Datenblatt Seite 5 IXGR48N60C3D1 Datenblatt Seite 6 IXGR48N60C3D1 Datenblatt Seite 7

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IXGR48N60C3D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)56A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)230A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 30A
Leistung - max125W
Schaltenergie410µJ (on), 230µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge77nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/60ns
Testbedingung400V, 30A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Serie

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600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

64A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

250µJ (on), 640µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

43ns/240ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

530A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 150A

Leistung - max

780W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

410nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 27A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

120µJ (on), 540µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/170ns

Testbedingung

480V, 27A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Leistung - max

370W

Schaltenergie

350µJ (on), 825µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/185ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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