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AOTF5B65M1

AOTF5B65M1

Nur als Referenz

Teilenummer AOTF5B65M1
PNEDA Teilenummer AOTF5B65M1
Beschreibung IGBT 650V 5A TO220
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 19.752
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 7 - Apr 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOTF5B65M1 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOTF5B65M1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AOTF5B65M1, AOTF5B65M1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 543,14 KB)
PDFAOTF5B65M1 Datenblatt Cover
AOTF5B65M1 Datenblatt Seite 2 AOTF5B65M1 Datenblatt Seite 3 AOTF5B65M1 Datenblatt Seite 4 AOTF5B65M1 Datenblatt Seite 5 AOTF5B65M1 Datenblatt Seite 6 AOTF5B65M1 Datenblatt Seite 7 AOTF5B65M1 Datenblatt Seite 8 AOTF5B65M1 Datenblatt Seite 9

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AOTF5B65M1 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieAlpha IGBT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)15A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.98V @ 15V, 5A
Leistung - max25W
Schaltenergie80µJ (on), 70µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge14nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.8.5ns/106ns
Testbedingung400V, 5A, 60Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)195ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

145A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

2.6mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/130ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG4BC15UD

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

42A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

Leistung - max

49W

Schaltenergie

240µJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/160ns

Testbedingung

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

STGB35N35LZT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

345V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 4.5V, 15A

Leistung - max

176W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1.1µs/26.5µs

Testbedingung

300V, 15A, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

RGW80TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

39A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

81W

Schaltenergie

760µJ (on), 720µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/143ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

92ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

52nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/550ns

Testbedingung

800V, 10A, 150Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Kürzlich verkauft

TLP227G-2(TP1,N,F)

TLP227G-2(TP1,N,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V

MAX3488ESA+

MAX3488ESA+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 8SOIC

LTC4365IDDB#TRMPBF

LTC4365IDDB#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OVERVOLTAGE PROTECT 8-DFN

PA0277NL

PA0277NL

Pulse Electronics Power

FIXED IND 700NH 10.7A 95 MOHM

LTM4630AEY#PBF

LTM4630AEY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5.3V

TAJD336K035RNJ

TAJD336K035RNJ

CAP TANT 33UF 10% 35V 2917

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DSPIC33FJ256GP710-I/PF

Microchip Technology

IC MCU 16BIT 256KB FLASH 100TQFP

BC817-40-7-F

BC817-40-7-F

Diodes Incorporated

TRANS NPN 45V 500MA SOT23-3

MMSZ5235BT1G

MMSZ5235BT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123

IRG7PH42UDPBF

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Infineon Technologies

IGBT 1200V 85A 320W TO247AC

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FUSE BOARD MNT 1A 250VAC RADIAL

BLM15AG221SN1D

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FERRITE BEAD 220 OHM 0402 1LN