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RGW80TK65DGVC11

RGW80TK65DGVC11

Nur als Referenz

Teilenummer RGW80TK65DGVC11
PNEDA Teilenummer RGW80TK65DGVC11
Beschreibung 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 9.792
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RGW80TK65DGVC11 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRGW80TK65DGVC11
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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RGW80TK65DGVC11 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)39A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 40A
Leistung - max81W
Schaltenergie760µJ (on), 720µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge110nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.44ns/143ns
Testbedingung400V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)92ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3PFM, SC-93-3
LieferantengerätepaketTO-3PFM

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NGTB15N120LWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

229W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 560µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

72ns/165ns

Testbedingung

600V, 15A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

HGTG30N60B3D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

208W

Schaltenergie

550µJ (on), 680µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/137ns

Testbedingung

480V, 30A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

SKP10N60AXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 10A

Leistung - max

92W

Schaltenergie

320µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

52nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/178ns

Testbedingung

400V, 10A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

220ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

108A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

255A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

937W

Schaltenergie

5.9mJ (on), 3.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/150ns

Testbedingung

850V, 30A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

AIKW50N60CTXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

1.2mJ (on), 1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/299ns

Testbedingung

400V, 50A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

Kürzlich verkauft

IRFR5305PBF

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Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

LTC1844ES5-2.5#TRMPBF

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IC REG LIN 2.5V 150MA TSOT23-5

S3A-13-F

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DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

TAJD686K016RNJ

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CAP TANT 68UF 10% 16V 2917

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STD03P

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20IMX35D12D12-8G

20IMX35D12D12-8G

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DC DC CONVERTER 12V 12V 12V 35W

S2B-13-F

S2B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB

MMBF170

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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

ADM6996MX-AD-T-1

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IC SWITCH ETHER 5PORT 128-FQFP

SIR826ADP-T1-GE3

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MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

AD7689BCBZ-RL7

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Analog Devices

IC ADC 16BIT SAR 20WLCSP

AOZ8808DI-05

AOZ8808DI-05

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TVS DIODE 5V 9V 10DFN