ALD1106PBL
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| Teilenummer | ALD1106PBL |
| PNEDA Teilenummer | ALD1106PBL |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP |
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ALD1106PBL Ressourcen
| Marke | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ALD1106PBL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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ALD1106PBL Technische Daten
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | 4 N-Channel, Matched Pair |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3pF @ 5V |
| Leistung - max | 500mW |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 14-PDIP |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
