AUIRFN8458TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | AUIRFN8458TR |
| PNEDA Teilenummer | AUIRFN8458TR |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.624 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 18 - Feb 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AUIRFN8458TR Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AUIRFN8458TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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AUIRFN8458TR Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 43A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 25V |
| Leistung - max | 34W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | PQFN (5x6) |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchPLUS FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16.9A (Tc), 9.16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 10A, 10V, 22.6mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 5V, 23nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5178pF @ 25V, 2315pF @ 25V Leistung - max 5.2W (Tc), 3.9W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 20-SO |
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