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A2T18H160-24SR3

A2T18H160-24SR3

Nur als Referenz

Teilenummer A2T18H160-24SR3
PNEDA Teilenummer A2T18H160-24SR3
Beschreibung IC TRANS RF LDMOS
Hersteller NXP
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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A2T18H160-24SR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA2T18H160-24SR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
A2T18H160-24SR3, A2T18H160-24SR3 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 455,98 KB)
PDFA2T18H160-24SR3 Datenblatt Cover
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A2T18H160-24SR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz1.81GHz
Gewinn17.9dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest400mA
Leistung - Leistung28W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S-4L2L
LieferantengerätepaketNI-780S-4L2L

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.39GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.9A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

N-Channel GaAs HJ-FET

Frequenz

12GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

60mA

Rauschzahl

0.65dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

125mW

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

M04

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.88GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

58W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230-4LS2L

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4LS2L

Hersteller

IXYS-RF

Serie

DE

Transistortyp

2 N-Channel (Dual)

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

8A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

1180W

Spannung - Nennspannung

1000V

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DE275

CGHV40180F

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

0Hz ~ 1GHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

12.1A

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

180W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

440223

Lieferantengerätepaket

440223

Kürzlich verkauft

2SC4793(F,M)

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IS61WV102416BLL-10TLI

IS61WV102416BLL-10TLI

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IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

WSL2010R0100FEA18

WSL2010R0100FEA18

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RES 0.01 OHM 1% 1W 2010

MC9S08LG16CLF

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IRGP4750D-EPBF

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IRFU9024NPBF

IRFU9024NPBF

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AD9528BCPZ

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TPSE226K035R0200

TPSE226K035R0200

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ADM1031ARQZ

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S25FL032P0XMFI001

S25FL032P0XMFI001

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