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MRF6P23190HR6

MRF6P23190HR6

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6P23190HR6
PNEDA Teilenummer MRF6P23190HR6
Beschreibung FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230
Hersteller NXP
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MRF6P23190HR6 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6P23190HR6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6P23190HR6, MRF6P23190HR6 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 470,65 KB)
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MRF6P23190HR6 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.39GHz
Gewinn14dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.9A
Leistung - Leistung40W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallNI-1230
LieferantengerätepaketNI-1230

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Ampleon USA Inc.

Serie

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Gewinn

14dB

Spannungstest

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Rauschzahl

-

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-

Frequenz

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Nennstrom (Ampere)

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Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

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Frequenz

2GHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

13.6V

Nennstrom (Ampere)

5A

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

40V

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Hersteller

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Serie

-

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Frequenz

-

Gewinn

12dB

Spannungstest

10V

Nennstrom (Ampere)

60mA

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

2GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

120mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

5mA

Leistung - Leistung

12dBm

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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