1N6639US
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| Teilenummer | 1N6639US |
| PNEDA Teilenummer | 1N6639US |
| Beschreibung | DIODE GEN PURPOSE |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.794 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 23 - Apr 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N6639US Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N6639US |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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1N6639US Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | * |
| Diodentyp | - |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | - |
| Current - Average Rectified (Io) | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
| Geschwindigkeit | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | - |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | - |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 900mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket SMC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -60°C ~ 175°C |
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