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1N4003GP-E3/54

1N4003GP-E3/54

Nur als Referenz

Teilenummer 1N4003GP-E3/54
PNEDA Teilenummer 1N4003GP-E3-54
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 44.640
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1N4003GP-E3/54 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N4003GP-E3/54
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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1N4003GP-E3/54 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieSUPERECTIFIER®
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)2µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.8pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AL, DO-41, Axial
LieferantengerätepaketDO-204AL (DO-41)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

600A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.19V @ 1800A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40mA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

POW-R-BLOK™ Module

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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GeneSiC Semiconductor

Serie

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Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

320A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 300A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-60°C ~ 180°C

B340LB-M3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

450mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

129NQ135-1

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Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

135V

Current - Average Rectified (Io)

120A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.07V @ 120A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 135V

Kapazität @ Vr, F.

3000pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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Hersteller

Comchip Technology

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

70pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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