MaxLinear, Inc. Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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KategorieHalbleiter / Transistoren / Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

HerstellerMaxLinear, Inc.

Datensätze 2

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Bild	Teilenummer	Hersteller	Beschreibung	Auf Lager	Menge	Serie	FET-Typ	Technologie	Drain to Source Voltage (Vdss)	Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Montagetyp	Lieferantengerätepaket	Paket / Fall
	XR46000ESETR	MaxLinear, Inc.	MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223	96.318		-	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600V	1.5A (Tc)	10V	8Ohm @ 750mA, 10V	4V @ 250µA	7.5nC @ 10V	±30V	170pF @ 25V	-	20W (Tc)	150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
	XR46000ESE	MaxLinear, Inc.	MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223-3	4.482		-	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600V	1.5A (Tc)	10V	8Ohm @ 750mA, 10V	4V @ 250µA	7.5nC @ 10V	±30V	170pF @ 25V	-	20W (Tc)	150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA

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