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FSF10A40

Kyocera

Gleichrichter - Single

DIODE FAST RECOVERY 400V 10A TO-

• Hersteller: Kyocera International Inc. Electronic Components
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Current - Average Rectified (Io): 10A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 10A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 45ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 30µA @ 400V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
• Lieferantengerätepaket: TO-220-2 Full-Mold
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -40°C ~ 150°C

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60CPQ150

SMC Diode Solutions

Gleichrichter - Single

DIODE SCHOTTKY 150V TO247AD

• Hersteller: SMC Diode Solutions
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 150V
• Current - Average Rectified (Io): -
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 30A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 100µA @ 150V
• Kapazität @ Vr, F.: 820pF @ 5V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-247-3
• Lieferantengerätepaket: TO-247AD
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C

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RHRG3060

ON Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 30A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 30A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 45ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 250µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-247-2
• Lieferantengerätepaket: TO-247-2
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C

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RURG3060

ON Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 30A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 30A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 60ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 250µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-247-2
• Lieferantengerätepaket: TO-247-2
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C

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SS19

ON Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE SCHOTTKY 90V 1A SMA

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 90V
• Current - Average Rectified (Io): 1A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 1A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 200µA @ 90V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: DO-214AC, SMA
• Lieferantengerätepaket: SMA (DO-214AC)
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 125°C

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MBR6045WT

Littelfuse

Gleichrichter - Single

DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO247AD

• Hersteller: Littelfuse Inc.
• Serie: MBR
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 45V
• Current - Average Rectified (Io): 30A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 30A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 45V
• Kapazität @ Vr, F.: 1400pF @ 5V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-247-3
• Lieferantengerätepaket: TO-247AD
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C

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STTH1003SB-TR

STMicroelectronics

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 300V 10A DPAK

• Hersteller: STMicroelectronics
• Serie: ECOPACK®2
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 300V
• Current - Average Rectified (Io): 10A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 10A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 35ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 300V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Lieferantengerätepaket: DPAK
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: 175°C (Max)

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S3B

ON Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 100V 3A SMC

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Current - Average Rectified (Io): 3A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 3A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 2.5µs
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 100V
• Kapazität @ Vr, F.: 60pF @ 4V, 1MHz
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: DO-214AB, SMC
• Lieferantengerätepaket: SMC (DO-214AB)
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C

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S3A

ON Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 50V
• Current - Average Rectified (Io): 3A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 3A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 2.5µs
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 50V
• Kapazität @ Vr, F.: 60pF @ 4V, 1MHz
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: DO-214AB, SMC
• Lieferantengerätepaket: SMC (DO-214AB)
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C

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1N5615

Microsemi

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

• Hersteller: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Current - Average Rectified (Io): 1A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 150ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 500nA @ 200V
• Kapazität @ Vr, F.: 45pF @ 12V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: A, Axial
• Lieferantengerätepaket: -
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C

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S1B

ON Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Current - Average Rectified (Io): 1A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 1.8µs
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1µA @ 100V
• Kapazität @ Vr, F.: 12pF @ 4V, 1MHz
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: DO-214AC, SMA
• Lieferantengerätepaket: SMA (DO-214AC)
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C

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S1A

ON Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 50V 1A SMA

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 50V
• Current - Average Rectified (Io): 1A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 1.8µs
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1µA @ 50V
• Kapazität @ Vr, F.: 12pF @ 4V, 1MHz
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: DO-214AC, SMA
• Lieferantengerätepaket: SMA (DO-214AC)
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C

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1N4007-TP

Micro Commercial Co

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

• Hersteller: Micro Commercial Co
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 1000V
• Current - Average Rectified (Io): 1A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 2µs
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 1000V
• Kapazität @ Vr, F.: 15pF @ 4V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: DO-204AL, DO-41, Axial
• Lieferantengerätepaket: DO-41
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C

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IRG7PK35UD1PBF

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1400V 40A 167W TO247AC

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• IGBT-Typ: -
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1400V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A
• Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 20A
• Leistung - max: 167W
• Schaltenergie: 650µJ (off)
• Eingabetyp: Standard
• Gate Charge: 98nC
• Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/150ns
• Testbedingung: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-247-3
• Lieferantengerätepaket: TO-247AC

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2SK3755-AZ

Renesas Electronics America

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

TRANSISTOR

• Hersteller: Renesas Electronics America
• Serie: -
• FET-Typ: -
• Technologie: -
• Drain to Source Voltage (Vdss): -
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (Max) @ Id: -
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
• Vgs (Max): -
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: -
• Montagetyp: -
• Lieferantengerätepaket: -
• Paket / Fall: -

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2SK3377-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

TRANSISTOR

• Hersteller: Renesas Electronics America
• Serie: -
• FET-Typ: -
• Technologie: -
• Drain to Source Voltage (Vdss): -
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (Max) @ Id: -
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
• Vgs (Max): -
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: -
• Montagetyp: -
• Lieferantengerätepaket: -
• Paket / Fall: -

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2SK3377(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

TRANSISTOR

• Hersteller: Renesas Electronics America
• Serie: -
• FET-Typ: -
• Technologie: -
• Drain to Source Voltage (Vdss): -
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (Max) @ Id: -
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
• Vgs (Max): -
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: -
• Montagetyp: -
• Lieferantengerätepaket: -
• Paket / Fall: -

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2SJ600-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

TRANSISTOR

• Hersteller: Renesas Electronics America
• Serie: -
• FET-Typ: -
• Technologie: -
• Drain to Source Voltage (Vdss): -
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (Max) @ Id: -
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
• Vgs (Max): -
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: -
• Montagetyp: -
• Lieferantengerätepaket: -
• Paket / Fall: -

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2SJ599(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

TRANSISTOR

• Hersteller: Renesas Electronics America
• Serie: -
• FET-Typ: -
• Technologie: -
• Drain to Source Voltage (Vdss): -
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (Max) @ Id: -
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
• Vgs (Max): -
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: -
• Montagetyp: -
• Lieferantengerätepaket: -
• Paket / Fall: -

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NTMFS4H01NT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 54A (Ta), 334A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
• Vgs (Max): ±20V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5693pF @ 12V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
• Paket / Fall: 8-PowerTDFN

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ZXMN3B01FTC

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23

• Hersteller: Diodes Incorporated
• Serie: *
• FET-Typ: -
• Technologie: -
• Drain to Source Voltage (Vdss): -
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (Max) @ Id: -
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
• Vgs (Max): -
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: -
• Montagetyp: -
• Lieferantengerätepaket: -
• Paket / Fall: -

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MMBT3904WT1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 40V 0.2A SOT323

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Transistortyp: NPN
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
• Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
• Leistung - max: 150mW
• Frequenz - Übergang: 300MHz
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SC-70, SOT-323
• Lieferantengerätepaket: SC-70-3 (SOT323)

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BSP52T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Transistortyp: NPN - Darlington
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
• Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
• Leistung - max: 800mW
• Frequenz - Übergang: -
• Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
• Lieferantengerätepaket: SOT-223

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BCP69T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 20V 1A SOT223

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Transistortyp: PNP
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
• Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
• Leistung - max: 1.5W
• Frequenz - Übergang: 60MHz
• Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
• Lieferantengerätepaket: SOT-223

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BCP68T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 20V 1A SOT223

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Transistortyp: NPN
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
• Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
• Leistung - max: 1.5W
• Frequenz - Übergang: 60MHz
• Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
• Lieferantengerätepaket: SOT-223

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BC857BLT1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Transistortyp: PNP
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
• Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
• Leistung - max: 300mW
• Frequenz - Übergang: 100MHz
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)

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BC856BLT1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 65V 0.1A SOT23

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Transistortyp: PNP
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
• Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
• Leistung - max: 300mW
• Frequenz - Übergang: 100MHz
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)

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BC848CLT1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Transistortyp: NPN
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V
• Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
• Leistung - max: 300mW
• Frequenz - Übergang: 100MHz
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)

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BC848BLT1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Transistortyp: NPN
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V
• Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
• Leistung - max: 300mW
• Frequenz - Übergang: 100MHz
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)

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BC846BLT1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A SOT23

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Transistortyp: NPN
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
• Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
• Leistung - max: 300mW
• Frequenz - Übergang: 100MHz
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)

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