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1N5615

1N5615

Nur als Referenz

Teilenummer 1N5615
PNEDA Teilenummer 1N5615
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Hersteller Microsemi
Stückpreis
1 ---------- $5,8990
250 ---------- $5,6225
500 ---------- $5,3460
1.000 ---------- $5,0695
2.500 ---------- $4,8390
5.000 ---------- $4,6086
Auf Lager 3.622
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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1N5615 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N5615
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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1N5615 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.6V @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)150ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr500nA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.45pF @ 12V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallA, Axial
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerDynFRED™

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3.07V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

15ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

RGP30DHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

S10KL-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VS-30CPF10PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.41V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

450ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

HT15G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

T-18, Axial

Lieferantengerätepaket

TS-1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Kürzlich verkauft

1N4007-TP

1N4007-TP

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GCM1885C1H6R8BA16D

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Murata

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