Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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KategorieHalbleiter / Transistoren / Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

HerstellerDiodes Incorporated

Datensätze 1.718

Seite 58/58

Teilenummer	Hersteller	Beschreibung	Auf Lager	Serie	FET-Typ	Technologie	Drain to Source Voltage (Vdss)	Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Montagetyp	Lieferantengerätepaket	Paket / Fall
2N7002T-7-G	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V SOT523	7.812	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BSS138TA-79	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH SOT23	2.682	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DMG3415U-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH DFN-3	4.338	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DMN2400UFB4-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH SOT23	3.544	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DMN2400UFB4-7R	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH SOT23	4.194	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DMN2500UFB4-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH SOT23	4.680	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DMN62D0LFD-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH SOT23	7.956	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DMS3014SFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH POWERDI3333-8	Angebot anfordern	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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