Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 759/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
DMN601DWKQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 305mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager43.566
DMN601VK-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 305mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager23.880
DMN601VKQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 305mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager5.058
DMN6022SSD-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V Leistung - max: 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.734
DMN6022SSS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.060
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V Leistung - max: 1.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager743.190
DMN6040SSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V Leistung - max: 1.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager23.232
DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 502pF @ 30V Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager200.604
DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V Leistung - max: 1.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager120.936
DMN61D8LVT-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 630mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Leistung - max: 820mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSOT-26	Auf Lager4.050
DMN61D8LVT-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 630mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Leistung - max: 820mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSOT-26	Auf Lager55.770
DMN61D8LVTQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 630mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Leistung - max: 820mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSOT-26	Auf Lager3.438
DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 630mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Leistung - max: 820mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSOT-26	Auf Lager118
DMN61D9UDW-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 350mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5pF @ 30V Leistung - max: 320mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager5.598
DMN61D9UDW-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.35A Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 350mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5pF @ 30V Leistung - max: 320mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager817.104
DMN62D0UDW-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 350mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V Leistung - max: 320mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager4.266
DMN62D0UDW-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.35A Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 350mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V Leistung - max: 320mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager150.498
DMN62D0UT-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager4.212
DMN62D0UT-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager4.932
DMN63D0LT-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH 100V SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager25.554
DMN63D1LDW-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Leistung - max: 310mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager6.966
DMN63D1LDW-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Leistung - max: 310mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager3.598
DMN63D1LV-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.392nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Leistung - max: 940mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager6.318
DMN63D1LV-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.392nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Leistung - max: 940mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager7.560
DMN63D8LDW-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 870nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager2.790
DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 870nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager2.680.914
DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager28.116
DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 260mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Leistung - max: 450mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager582.486
DMN65D8LDW-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager1.614.312
DMN65D8LDWQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.146

«
‹
1
...
756
757
758
759 (current)
760
761
762
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message