Transistoren

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DMC25D0UVT-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 400mA, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 26.2pF @ 10V Leistung - max: 1.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSOT-26	Auf Lager8.892
DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 400mA, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 26.2pF @ 10V Leistung - max: 1.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSOT-26	Auf Lager171
DMC25D1UVT-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA, 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 10V Leistung - max: 1.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSOT-26	Auf Lager6.192
DMC25D1UVT-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA, 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 10V Leistung - max: 1.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSOT-26	Auf Lager44.549
DMC2700UDM-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V SOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.34A, 1.14A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Leistung - max: 1.12W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager3.348.336
DMC2700UDMQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V24V SOT26 T&R 3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.34A (Ta), 1.14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V Leistung - max: 1.12W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager3.546
DMC2710UDW-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.428
DMC2710UDW-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.122
DMC2710UV-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.996
DMC2710UV-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.380
DMC2710UVT-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.052
DMC2710UVT-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.032
DMC2990UDJ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V SOT963 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA, 310mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager1.264.812
DMC2990UDJQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA (Ta), 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V Leistung - max: 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager4.968
DMC2990UDJQ-7B Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA (Ta), 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V Leistung - max: 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager4.140
DMC3016LDV-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Tc), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V Leistung - max: 900mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8	Auf Lager4.914
DMC3016LDV-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Tc), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V Leistung - max: 900mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8	Auf Lager5.598
DMC3016LNS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V Leistung - max: 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8	Auf Lager3.096
DMC3016LNS-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V Leistung - max: 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8	Auf Lager4.235
DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.2A, 6.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V Leistung - max: 1.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager41.340
DMC3018LSD-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.1A, 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 631pF @ 15V Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager5.778
DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A, 6.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V Leistung - max: 2.7W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Lieferantengerätepaket: TO-252-4L	Auf Lager19.506
DMC3021LSD-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.222
DMC3021LSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.994
DMC3025LDV-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 (Type UXC)	Auf Lager5.112
DMC3025LDV-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8	Auf Lager3.816
DMC3025LNS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.2A (Ta), 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V Leistung - max: 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8	Auf Lager4.302
DMC3025LNS-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.2A (Ta), 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V Leistung - max: 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8	Auf Lager4.086
DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A, 4.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V Leistung - max: 1.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager26.178
DMC3025LSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFETN/P-CH30VSO-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC, 5.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF, 590pF @ 15V, 25V Leistung - max: 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.022

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